英特尔联手联华电子，合作开发12纳米制程工艺

近日，英特尔(Intel)与台湾联华电子(UMC)联合宣布双方已达成合作协议，共同为高速增长的移动通信、基础设施及网络市场开发一款12纳米光刻工艺技术。根据协议条款，双方将协作设计一款12纳米级别的晶圆厂制程节点，该技术将由英特尔旗下的晶圆代工业务部门（IFS）在亚利桑那州的工厂投入使用，用于生产各类芯片产品。

此项全新的12纳米制造工艺的研发工作将在美国亚利桑那州展开，并计划在未来应用于英特尔Ocotillo Technology园区内的12、22、32号晶圆厂。双方企业将携手合作，共同致力于晶圆制造技术本身的研发，以及工艺设计套件（PDK）、电子设计自动化工具（EDA）以及来自生态合作伙伴的知识产权（IP）解决方案，以确保该工艺节点在2027年投入量产时，能够迅速被客户采用并投入生产。

英特尔设在亚利桑那州的12、22、32号晶圆厂目前能够运用英特尔的7纳米级别、10纳米、14纳米和22纳米制造工艺生产芯片。随着英特尔在其其它生产基地陆续上线英特尔 4、英特尔 3和英特尔 20A/18A等新型生产节点，这些位于亚利桑那州的晶圆厂将会释放出产能，用于生产一系列基于传统和低成本节点的芯片，包括由联华电子与英特尔共同研发的12纳米制造工艺。

尽管英特尔自身拥有多种高度定制化的制程技术，用于内部生产自家的CPU及其他类似产品，但其晶圆代工业务部门IFS当前主要有三种对外提供服务的工艺技术：面向注重成本效益、设计低价低功耗产品的英特尔 16工艺（包括支持射频功能的产品）；针对追求高性能但仍希望持FinFET晶体管技术的客户的英特尔 3工艺；以及为寻求最优性能和晶体管密度的开发者提供的英特尔 18A工艺，该工艺采用环绕栅极的RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电技术。为了成为一家重要的晶圆代工巨头，仅凭这三种工艺技术显然是不够的；IFS需要覆盖尽可能多的客户群体，这就凸显了与联华电子合作的重要性。通过此次合作，IFS得以拓展其工艺技术覆盖范围，更好地满足多元化的市场需求。

 
联华电子目前已经拥有数百家客户，这些客户专注于汽车、消费电子、物联网、智能手机、存储以及其他相关垂直领域的多种产品开发。这些客户已经习惯与联华电子合作，但联华电子最先进的技术是其14纳米级别的14FFC节点。通过与英特尔共同设计12纳米级别的工艺技术，联华电子将有能力吸引那些需要比其自身14纳米节点更先进技术的客户，而无需独自研发全新的制造工艺和采购尖端的晶圆厂设备。同时，英特尔也能借此机会为其已完全折旧（并且可能未充分利用）的晶圆厂吸引更多的客户。

双方在12纳米节点的合作扩展了各自在工艺技术方面的服务范围。尚待观察的是，英特尔自家的16纳米级别工艺技术是否会与共同开发的12纳米节点产生竞争或重叠。为了避免这种情况发生，我们预期联华电子会将其专业技术融入到新的12纳米工艺中，使客户能更容易地从其28纳米级别和14FFC工艺迁移至新的12纳米工艺。此举将确保12纳米节点在未来多年内都能得到有效利用。
英特尔与联华电子的合作紧跟其为Tower半导体在其11X号工厂生产65纳米芯片的计划之后。本质上，这两项合作都使英特尔的IFS能够利用其已完全折旧的晶圆厂，建立与无晶圆厂芯片设计公司的联系，并创造收益。同时，合作伙伴在无需大量资本投入的情况下扩大产能和市场份额。

联华电子联席执行长王石(Jason Wang)表示：

“我们与英特尔合作在美国生产具备FinFET技术的12纳米工艺，这是我们在追求成本效益型产能扩张和技术节点进步战略中迈出的重要一步，也是我们对客户承诺的延续。这项合作能让我们的客户顺利迁移到这一关键的新节点，并从增设的西半球生产基地中受益于供应链的韧性。我们对与英特尔的战略合作感到振奋，这将进一步拓宽我们的市场触达范围，并通过双方互补优势极大地加快我们的技术发展路线图。”

原文链接：https://www.intc.com/news-events/press-releases/detail/1671/intel-and-umc-announce-new-foundry-collaboration