概要

在科技日新月异的今天，每一周都有可能见证新的里程碑。本周，我们不仅目睹了国内存储技术的重要突破，还看到了图形处理领域的显著进步。与此同时，半导体制造工艺也迎来了关键性的跨越。从金百达和光威推出的DDR5内存新品，到RTX 50系列显卡的性能超越，再到台积电2nm工艺的首次亮相，以及联华电子与高通合作推进先进封装技术的消息，无不显示着科技行业持续不断的创新动力。此外，Intel也在积极解决其最新处理器的问题，并提前曝光了新一代锐炫独立显卡的关键参数。接下来，让我们一起回顾这一周内科技界的精彩瞬间。

本周的科技资讯速览将带您深入了解这些重要进展及其对行业的影响。

国产DDR5内存突破：金百达与光威发布新品

国内存储市场迎来里程碑，金百达和光威分别推出基于国产颗粒的DDR5内存条——银爵系列和“龙武?弈”系列，均以499元价格发售。两款产品均达到6000MHz频率，支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO超频标准，适应多种平台。

银爵系列采用CL36-36-36-80时序，工作电压1.35V，并配有高效的银白色散热马甲；而“龙武?弈”系列则使用CL36-40-40-96时序，工作电压1.4V，配备不锁电压的PMIC芯片，增强了超频灵活性。

这两款产品的发布标志着中国在高端存储技术领域取得了重要进展，尽管在某些方面仍落后于国际顶尖品牌，但它们的出现对于推动国产存储芯片技术的发展具有重要意义。

RTX 5080 配备30GHz GDDR7显存，性能超越旗舰5090

在即将发布的RTX 50系列中，次旗舰RTX 5080以30GHz等效频率的16GB GDDR7显存抢尽风头，超越了旗舰型号RTX 5090/5090D的28GHz频率。尽管RTX 5080的显存容量仅为RTX 5090的一半，但其显存带宽达到960GB/s，比RTX 4080和RTX 4080 SUPER分别提升了34%和30%。这使得RTX 5080在性能上成为游戏和创意应用的强有力竞争者。

台积电2nm工艺突破亮相IEDM 2024

在2024年IEDM大会上，台积电首次展示了其2nm工艺的关键进展。相比3nm，新工艺的晶体管密度增加了15%，性能提升了15%，且功耗降低了24%至35%。

台积电引入了全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术，优化了能效和低电压下的电流控制。NanoFlex DTCO技术则允许灵活调整芯片尺寸和性能，找到功耗与性能的最佳平衡点。

此外，第三代偶极子集成技术支持六个电压阈值档位，显著提升N型和P型晶体管的速度，增强了高性能计算的支持。在低电压下，新工艺能提高约20%的频率，并将待机功耗降低75%。

存储方面，SRAM密度达到了每平方毫米38Mb的新高。金属层工艺也进行了简化，减少了光罩数量。针对高性能计算，台积电还引入了超高性能电容，支持更高运行频率。

这些创新巩固了台积电在全球半导体领域的领导地位，自28nm以来，其工艺性能已提升超过140倍。

Intel 解决 Arrow Lake 酷睿 Ultra 200S 性能问题

Intel 积极应对 Arrow Lake 酷睿 Ultra 200S 系列发布后的性能问题，现已锁定五个主要问题，四个已解决，第五个即将完成。

更新系统和BIOS：解决PPM配置包丢失、APO无效及早期BIOS设定混乱等问题。

Easy Anti-Cheat蓝屏：通过EPIC Games的新驱动更新解决。

新版BIOS优化：预计1月上旬发布。

用户按指示更新即可恢复性能表现。完整数据将在CES 2025期间公布。

Intel 锐炫B570提前曝光，关键参数揭晓

ntel 的第二代锐炫独立显卡系列新增成员B570已提前亮相。原定1月16日上市的B570现已在部分电商平台如德国的MindFactory上架并有现货销售。HardwareLuxx网站也展示了B570的实际图片。

基于BMG-G21芯片的B570相比B580有所精简：

- Xe核心与光追单元：从20个减少到18个

- 核心频率：从2670MHz降至2500MHz

- 显存位宽：从192-bit缩减至160-bit

- 显存容量：从12GB GDDR6减少至10GB GDDR6

- 整卡功耗：从190W降低至150W

尽管规格有所调整，但B570预计将以更低的价格吸引用户。目前，市场猜测其售价可能在1500元左右，这将使其在市场上具备一定的竞争力。

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